STB76NF80

STB76NF80

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK MOSFET N-Ch 80 V .0095 ohm 80 A STripFET II MOSFET, N-CH, 80V, 80A, D2PAK

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-10566-2
产品类别MOSFET
标准包装数量Bulk
标准封装名称D2PAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSSupplier Unconfirmed
海关税号85412900

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间30 ns
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard
栅极电荷117 nC
最大功率300W
额定功率300 W
下降时间(典型)30 ns
上升时间(典型)100 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟66 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压80 V
阈值电压:3V
导通电阻 RDS(On):0.0095ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs11@10V mOhm
最大功耗:300W
传播延迟(最大)100 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic80 V
导通电阻(最大)11@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs160nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)25 ns
漏源电压(Vdss)80V
峰值脉冲电流(10/1000µs)80 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)80 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3700pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C80A (Tc)

机械参数

参数值
重量0.0138
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:3
封装形式3D2PAK
材料表面处理:-
包装数量D2PAK
位数3
供应商器件封装D2PAK

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
配置Single

环境参数

参数值
工作温度-55 to 175 °C