STB75N20

STB75N20

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-5313-2
标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称D2PAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSSupplier Unconfirmed

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard
最大功率190W
下降时间(典型)29 ns
首抽头延迟75 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压200 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs34@10V mOhm
最大功耗190000
传播延迟(最大)33 ns
导通电阻(最大)34@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs84nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)53 ns
漏源电压(Vdss)200V
峰值脉冲电流(10/1000µs)75 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3260pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C75A (Tc)

机械参数

参数值
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
封装形式3D2PAK
包装数量D2PAK
位数3
供应商器件封装D2PAK

产品信息

参数值
通道类型Enhancement

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C