STB70NF3LLT4

STB70NF3LLT4

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R N-CH 30V 70A 10mOhm TO263-3 MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK STB70NF3LLT4, N-channel MOSFET Transistor, 70A 30V, 3-Pin D2PAK MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp MOSFET, N CH, 30V, 70A, D2PAK STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 70 A, Vds=30 V, 3针 D2PAK封装

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量1000
单位包装1000
产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量1000
标准封装名称D2PAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间28 ns
最大栅源电压 Vgs±16 V
逻辑类型YES
FET特性Logic Level Gate
最大功率100W
额定功率100 W
下降时间(典型)28 ns
上升时间(典型)165 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟27 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA
击穿电压30 V
阈值电压:1V
最大额定电流:70A
导通电阻 RDS(On):7.5mohm
触点电压(最大):30V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs9.5@10V mOhm
最大功耗100 W
传播延迟(最大)165 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
每端口功率(瓦)100W
导通电阻(最大)0.012 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)30V
电流传输比(最小)25 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs33nC
开关时间(Ton, Toff)(最大)23 ns
漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)70 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 16 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)70A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1650pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C70A (Tc)

机械参数

参数值
宽度10.4mm
高度4.6mm
长度10.75mm
重量0.0002
包装方式Tape and Reel
插片宽度Tab
引脚样式Gull-wing
端接方式:SMD
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:3
封装形式3D2PAK
冷却的封装DPAK
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度10.4(Max)
包装数量D2PAK
尺寸/外形10.75 x 10.4 x 4.6mm
位数3
外壳尺寸-插件4.6(Max)
供应商器件封装D2PAK

产品信息

参数值
匹配码STB70NF3LLT4
技术StripFET
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Single
标准交期14 weeks
印刷电路板数量2

环境参数

参数值
工作温度-55 to 175 °C
热阻 @ GPM1.5K/W