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# 元件详情：STB36NM60ND

- **型号**: STB36NM60ND
- **oneic 编号**: 390-STB36NM60ND
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK MOSFET Auto-grade N-CH 600V 29A FDmesh II 0.097 STMicroelectronics  , N沟道 MOSFET, 29 A, Vds=600 V, 3针 D2PAK封装
- **分类**: 分立半导体元件 / 分立半导体 / 触发二极管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | 497-13861-2 |
| 标准包装数量 | 1,000 |
| 工厂包装数量 | 1000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 61.8 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 80.4 nC |
| 最大功率 | 190W |
| 额定功率 | 190 W |
| 开通延迟时间 | 30 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 53.4 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 111 ns |
| 首抽头延迟 | 111 ns |
| 供电电压 | 600 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 110 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 110 mOhms |
| 平均正向功率 | 190 W |
| 最大功耗 | 190 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 导通电阻（最大） | 110 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 80.4nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 25 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 29 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2785pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 29A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 9.35mm |
| 高度 | 4.6mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | D2PAK-3 |
| 包装数量 | D2PAK |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
| 供应商器件封装 | D2PAK |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | * |
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | - 55 C |

## 数据手册

- [D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013](http://media.digikey.com/pdf/PCNs/STMicroelectronics/CRP-13-8135_D2PAK_Leads.pdf)

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