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source: huluic.cn
data_as_of: 2026-10-24T14:15:24.234Z
max_staleness: 1h
cached: false
source_url: https://huluic.cn/product/stmicroelectronics/STB33N60DM2/0QE5EYV0
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# 元件详情：STB33N60DM2

- **型号**: STB33N60DM2
- **oneic 编号**: 390-STB33N60DM2
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: STMicroelectronics  , N沟道 MOSFET, 25 A, Vds=650 V, 3针 D2PAK封装 MOSFET
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工厂包装数量 | 1000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 下降时间 | 9 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V |
| 栅极电荷 | 43 nC |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 8 ns |
| 晶体管类型 | Si |
| 首抽头延迟 | 62 ns |
| 供电电压 | 1.6V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 0.13 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V |
| 平均正向功率 | 190 W |
| 最大功耗 | 190 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 导通电阻（最大） | 130 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±25 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 25 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 9.35mm |
| 高度 | 4.6mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-263-3 |
| 包装数量 | D2PAK |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | 1 N-Channel |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | +150 °C |

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