规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 下降时间 | 9 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V |
| 栅极电荷 | 43 nC |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 8 ns |
| 晶体管类型 | Si |
| 首抽头延迟 | 62 ns |
| 供电电压 | 1.6V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 0.13 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V |
| 平均正向功率 | 190 W |
| 最大功耗 | 190 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 导通电阻（最大） | 130 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±25 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 25 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 9.35mm |
| 高度 | 4.6mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-263-3 |
| 包装数量 | D2PAK |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | 1 N-Channel |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | +150 °C |