STB30NF20
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK MOSFET N Ch 1500V 2.5A Pwr MOSFET Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R MOSFET, N-CH, 200V, 30A, D2PAK STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 30 A, Vds=200 V, 3针 D2PAK封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-7946-1 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Cut Tape |
| 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 8.8 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 125W |
| 额定功率 | 125 W |
| 下降时间（典型） | 8.8 ns |
| 上升时间（典型） | 15.7 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 38 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 200 V |
| 阈值电压 | :3V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.065ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 75@10V mOhm |
| 最大功耗 | :125W |
| 传播延迟（最大） | 15.7 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 200 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 38nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 35 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 30 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 30 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1597pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 30A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 重量 | 0.0138 |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :2 |
| 封装形式 | 3D2PAK |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |