规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 1000 |
| 单位包装 | 1000 |
| 其他名称 | 497-10563-2 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 标准封装名称 | D2PAK |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 10 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±25 V |
| 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 64 nC |
| 最大功率 | 140W |
| 额定功率 | 140 W |
| 下降时间（典型） | 10 ns |
| 上升时间（典型） | 8 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 50 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 650 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 139@10V mOhm |
| 最大功耗 | 140000 |
| 传播延迟（最大） | 8 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 每端口功率（瓦） | 140W |
| 导通电阻（最大） | 139@10V |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 650V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 64nC |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 50 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 22 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 22A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2880pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 22A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 9.35(Max) |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 3D2PAK |
| 冷却的封装 | D2PAK |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | D2PAK |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 4.6(Max) |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| 匹配码 | STB30N65M5 |
| 技术 | MDmeshV |
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 标准交期 | 14 weeks |
| 印刷电路板数量 | 2 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 热阻 @ GPM | 0.83K/W |