STB24N65M2

STB24N65M2

STMicroelectronics N.V.

N-Channel 650 V 0.23 Ω 150 W SMT MDmesh M2 Power Mosfet - D2PAK MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 16A 185mOhm TO263

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
下降时间25.5 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
栅极电荷29 nC
上升时间(典型)9.5 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟68 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id2 V
二极管配置NO
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs230 mOhm
平均正向功率150 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic650 V
逻辑电压 - VIL, VIHNO
每端口功率(瓦)150 W
导通电阻(最大)185 mOhms
空闲电流,典型值 @ 25°C16 A
供电电压 (Vcc/Vdd)650 V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs29 nC
连续漏极电流(Id)@ 25°C16 A

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装类型SMD
安装样式SMD/SMT
封装形式TO-263-3

产品信息

参数值
系列MDmesh M2
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C
热阻 @ GPM0.83 K/W