STB24N60DM2

STB24N60DM2

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK MOSFET POWER MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间15 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
栅极电荷29 nC
上升时间(典型)8.7 ns
首抽头延迟60 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id4 V
平均正向功率150 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V
导通电阻(最大)200 mOhms
连续漏极电流(Id)@ 25°C18 A

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式TO-263-3

产品信息

参数值
系列MDmesh DM2
技术Si
制造商全称STMicroelectronics