STB19NF20
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R N-CH 200V 15A 160mOhm TO263-3 MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK STB19NF20, N-channel MOSFET Transistor, 15A 200V, 3-Pin D2PAK MOSFET 200V 0.15Ohm 15A N-Channel STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 15 A, Vds=200 V, 3针 D2PAK封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 2000 |
| 单位包装 | 1000 |
| 其他名称 | 497-7941-1 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | D2PAK |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 11 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 90W |
| 额定功率 | 90 W |
| 下降时间（典型） | 11 ns |
| 上升时间（典型） | 22 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 19 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 200 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 160@10V mOhm |
| 最大功耗 | 90 W |
| 传播延迟（最大） | 22 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 200 V |
| 每端口功率（瓦） | 90W |
| 导通电阻（最大） | 0.16 Ω |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 200V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 24nC |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 11.5 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 15 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 15.0A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 800pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 15A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 10.4mm |
| 高度 | 4.6mm |
| 长度 | 10.75mm |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 3D2PAK |
| 冷却的封装 | DPAK |
| 包装数量 | D2PAK |
| 尺寸/外形 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 匹配码 | STB19NF20 |
| 技术 | Mesh ol |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 标准交期 | 14 weeks |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 热阻 @ GPM | 1.39K/W |
技术文档
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