STB18N60DM2

STB18N60DM2

STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 12 A, Vds=600 V, 3针 D2PAK封装 MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间32.5 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
栅极电荷20 nC
开通延迟时间13.5 ns
输出功能增强
上升时间(典型)8 ns
晶体管类型Si
关断延迟时间9.5 ns
首抽头延迟9.5 ns
供电电压1.6V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻0.29 Ω
Vgs(th)(最大)@ Id5V
平均正向功率90 W
最大功耗90 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V
导通电阻(最大)0.26 Ohms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs±25 V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds800 pF @ 100 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C12 A

机械参数

参数值
宽度10.4mm
高度4.6mm
长度9.35mm
包装方式Reel
安装类型表面贴装
安装样式SMD/SMT
引脚数3
封装形式TO-263-3
包装数量D2PAK
尺寸/外形9.35 x 10.4 x 4.6mm

产品信息

参数值
功能Y
技术Si
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
卡标准功率 MOSFET
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+150 °C