STB11NM60

STB11NM60

STMicroelectronics N.V.

STB11NM60, N-channel MOSFET Transistor 11A 600V, 3-Pin D2PAK STB11NM60

规格参数

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant Part

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs±30 V
元件数量1
击穿电压600 V
最大功耗160 W
导通电阻(最大)0.45 Ω
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs30 nC V @ 10
开关时间(Ton, Toff)(最大)20 ns
峰值脉冲电流(10/1000µs)11 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1000 pF V @ 25

机械参数

参数值
宽度9.35mm
高度4.6mm
长度10.4mm
安装类型Surface Mount
冷却的封装D2PAK
尺寸/外形10.4 x 9.35 x 4.6mm
位数3

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+150 °C