规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | Transistors RF MOSFET |
| 标准包装数量 | 20 |
| 工厂包装数量 | 80 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 增益 | 21 dB at 175 MHz |
| 频率 | 175MHz |
| 输出功率 | 350 W |
| 额定功率 | 625 W |
| 额定输出功率 | 450W |
| 测试电压 | 50V |
| 额定电压 | 130V |
| 最大频率 | 250 MHz |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 输出电流 | 250mA |
| 供电电压 | 5(Min) S |
| 元件数量 | 2 |
| 输入电容值 | 202@50V pF |
| 击穿电压 | 130 |
| 最大额定电流 | 40A |
| 测试效率 | 75 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 21 dB |
| 平均正向功率 | 625 W |
| 最大功耗 | 625000 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 130 V |
| 典型功耗（条件） | 21 |
| 导通电阻（最大） | 75 % |
| 电流传输比（最小） | 5 s |
| 漏源电压（Vdss） | 130 V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 40 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 20 V |
| 共模瞬态抗扰度（最小） | Military |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 40 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 425@50V pF |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 40 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tray |
| 安装类型 | Screw |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | STAC244F |
| 冷却的封装 | STAC244B |
| 包装数量 | STAC244B |
| 位数 | 5 |
| 供应商器件封装 | STAC244F |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 系列 | STAC |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 产品子类型 | RF Power Transistor |
| 配置 | Dual Common Source |
| 应用细节 | HF/VHF/UHF |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 65 C |