STAC2932B

STAC2932B

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin STAC244B Tray Trans RF MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin STAC244B Tray TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B Transistors RF MOSFET POWER R.F. MOSFET,N CH,RF,300W,250MHZ,STAC244B

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-8764
产品类别Transistors RF MOSFET
标准包装数量Bulk

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
抗辐射加固No

电气参数

参数值
频率175MHz
最大栅源电压 Vgs±20 V
最大功率300W
输出功率300
额定功率625 W
额定输出功率390W
测试电压50V
额定电压125V
最大频率250 MHz
频率范围:250MHz
晶体管类型N-Channel
输出电流250mA
供电电压5(Min) S
元件数量1
输入电容值206@50V pF
击穿电压125 V
最大额定电流40A
测试效率68
最大功耗625000 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic125 V
导通电阻(最大)68 %
电流传输比(最小)5 S
漏源电压(Vdss)125 V
峰值脉冲电流(10/1000µs)40 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
共模瞬态抗扰度(最小)Military
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)40 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds468@50V pF
连续漏极电流(Id)@ 25°C:40A

机械参数

参数值
重量0.0021
包装方式Tray
安装类型Screw
安装样式SMD/SMT
引脚数:4
封装形式5STAC244B
冷却的封装STAC244B
材料表面处理:-
包装数量STAC244B
位数5
供应商器件封装STAC244B

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
配置Single Dual Drain
射频系列/标准:STAC244B
应用细节HF/VHF/UHF

环境参数

参数值
工作温度-65 to 200 °C