规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 900 |
| 单位包装 | 30 |
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 标准封装名称 | ISOWATT218 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最大功率 | 62W |
| 额定功率 | 62 W |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 750V |
| 元件数量 | 1 |
| Vce饱和电压（最大） | 2 V |
| 最小输入电压 | 750 V |
| 电源电压（最大） | 9 |
| 平均正向功率 | 62 W |
| 最大功耗 | 62000 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1500 V |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 2V @ 1.5A, 6A |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 12A |
| 集电极截止电流（最大） | 12 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 15@1A@5V|6.5@6A@5V|5.5(Typ)@7A@1V |
| 集电极-发射极击穿电压（最大） | 9 V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3ISOWATT218FX |
| 冷却的封装 | ISOWATT218FX |
| 包装数量 | ISOWATT218FX |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | ISOWATT-218FX |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | NPN |
| 系列 | 1000V Transistors |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -65 to 150 °C |