规格参数
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 资质认证 | - |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| 最大栅源电压 Vgs | +22V, -10V |
| FET特性 | - |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
| 最大功耗 | 417W (Tc) |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 40A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 4-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ (8x8) HV |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 等级 | - |
| 系列 | - |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 基础产品编号 | SCTL35 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |