规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 50 |
| 单位包装 | 25 |
| 产品类别 | Transistors RF MOSFET |
| 标准包装数量 | 25 |
| 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 增益 | 17.5dB |
| 频率 | 945MHz |
| 最大栅源电压 Vgs | 15 V |
| 输出功率 | 35 W |
| 额定功率 | 108 W |
| 额定输出功率 | 15W |
| 测试电压 | 13.6V |
| 额定电压 | 40V |
| 最大频率 | 1000 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 输出电流 | 350mA |
| 元件数量 | 1 |
| 击穿电压 | 40 |
| 最大额定电流 | 8A |
| 平均正向功率 | 108 W |
| 最大功耗 | 108000 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| 典型功耗（条件） | 17.5 |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 8 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 15 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 8 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 76@12.5V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 8 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 高度 | 4.45 mm (Max) |
| 长度 | 9.4 mm (Max) |
| 包装方式 | Box |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | M243 |
| 包装数量 | Case M-243 |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | M243 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | N |
| 系列 | PD85035C |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | + 150 C |