PD85025C

PD85025C

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin Case M-243 Box Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin Case M-243 Box 25W 2000MHZ 12V TRANS RF N-CH LDMOST M243 Transistors RF MOSFET RF Power Trans. LDMOST family RF MOSFET Transistors RF Power Trans. LDMOST family

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量50
单位包装25
产品类别Transistors RF MOSFET
标准包装数量Boxed
工厂包装数量50

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
增益17.5dB
频率945MHz
最大栅源电压 Vgs±20 V
输出功率25 W
额定功率93 W
额定输出功率10W
测试电压13.6V
额定电压40V
最大频率1000
晶体管类型LDMOS
输出电流300mA
元件数量1
击穿电压40 V
最大额定电流7A
测试效率73
平均正向功率93 W
最大功耗93000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic40 V
典型功耗(条件)17.5
峰值脉冲电流(10/1000µs)7 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)7 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds49@12.5V
连续漏极电流(Id)@ 25°C7 A

机械参数

参数值
高度4.45 mm
长度20.57 mm
包装方式Box
安装类型Screw
安装样式SMD/SMT
封装形式3Case M-243
包装数量Case M-243
位数3
供应商器件封装M243

产品信息

参数值
类型RF Power MOSFET
系列PD85025
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics
产品子类型RF MOSFET Power
配置Single

环境参数

参数值
工作温度-65 to 200 °C