PD55003-E
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 40V 2.5A 4-Pin(2+2Tab) PowerSO-10RF (Formed lead) Tube Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin(2+Tab) PowerSO-10RF (Formed lead) Tube 3W 500MHZ 12V P TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Transistors RF MOSFET RF POWER TRANS MOSFET, RF, N-CH, 40V, 2.5A, POWERSO RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 400 |
| 单位包装 | 50 |
| 产品类别 | Transistors RF MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 标准封装名称 | PowerSO-10RF (Formed lead) |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 增益 | 17dB |
| VSWR | 20(Min) |
| 频率 | 500MHz |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| 最大功率 | 3W(Min) |
| 输出功率 | 3 W |
| 额定功率 | 31.7 W |
| 额定输出功率 | 3W |
| 测试电压 | 12.5V |
| 额定电压 | 40V |
| 最大频率 | 1000 MHz |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 输出电流 | 50mA |
| 供电电压 | 1 S |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电容值 | 24@12.5V pF |
| 击穿电压 | 40 V |
| 最大额定电流 | 2.5A |
| 测试效率 | 52 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 17 dB |
| 最大功耗 | 31700 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| 漏电流（最大） | 2.5 A |
| 典型功耗（条件） | 17 |
| 导通电阻（最大） | 52 % |
| 电流传输比（最小） | 1 S |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 52 % |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 2.5 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 共模瞬态抗扰度（最小） | Military |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 36@12.5V pF |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | :2.5A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 4PowerSO-10RF (Formed lead) |
| 冷却的封装 | PowerSO-10RF |
| 材料表面处理 | :MSL 3 - 168 hours |
| 包装数量 | PowerSO-10RF (Formed lead) |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | 10-PowerSO |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | RF MOSFET |
| 已删除 | Compliant |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 射频系列/标准 | :PowerSO-10RF |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -65 to 165 °C |