MJD47T4
STMicroelectronics N.V.
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TRANSISTOR NPN 250V 1A DPAK MJD47T4, NPN Bipolar Transistor, 1A 250V HFE:10V 10MHz Power, 3-Pin D-PAK Transistors Bipolar - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-252 TRANSISTORNPN250V1A,DPAK STMicroelectronics , NPN 晶体管, 1 A, Vce=250 V, HFE:10, 10 MHz, 3针 DPAK封装 Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-2482-2 |
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | DPAK |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 频率 | 10 MHz |
| 最大功率 | 15W |
| 额定功率 | 15 W |
| 最大频率 | 10(Min) MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 250V |
| 元件数量 | 1 |
| 25°C时电阻 | 8.33°C/W |
| Vce饱和电压（最大） | 1 V |
| 最小输入电压 | 250 V |
| 过渡频率 | 10MHz |
| 增益带宽积 | 10 MHz |
| 电源电压（最大） | 5 V |
| 最大功耗 | 15000 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 350 V |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 1A |
| 集电极截止电流（最大） | 1 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 30@300mA@10V|10@1A@10V |
| 集电极-发射极击穿电压（最大） | 5 V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 6.2mm |
| 高度 | 2.4mm |
| 长度 | 6.6mm |
| 重量 | 0.00045 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3DPAK |
| 冷却的封装 | DPAK |
| 包装数量 | DPAK |
| 主要材料 | Si |
| 尺寸/外形 | 2.4 x 6.6 x 6.2mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | NPN |
| 极性 | NPN |
| 卡标准 | Bipolar Power |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -65 to 150 °C |