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# 元件详情：MJD32CT4

- **型号**: MJD32CT4
- **oneic 编号**: 390-MJD32CT4
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R PNP TRANSISTOR 100V 3A 15W DPAK TRANSISTOR PNP 100V 3A DPAK Transistors Bipolar - BJT PNP Gen Pur Switch BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-252 TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -3A, TO-252 TRANSISTORPNP100V3A,DPAK Power transistor D-PAK PNP -100 V, MJD32CT4, ST Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
- **分类**: 分立半导体元件 / 双极型晶体管 / 通用双极型晶体管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最小起订量 | 7500 |
| 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | 497-2491-2 |
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Tape & Reel, Cut Tape |
| 工厂包装数量 | 2500 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 海关税号 | 85412100 |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最大功率 | 15W |
| 额定功率 | 15 W |
| 晶体管类型 | PNP |
| 供电电压 | 100V |
| 元件数量 | 1 |
| Vce饱和电压（最大） | - 1.2 V |
| 最小输入电压 | 100 V |
| 最大功耗 | 15000 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100V |
| 每端口功率（瓦） | 15W |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 3A |
| 集电极截止电流（最大） | 3 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 20@500mA@10V\|3@0.5A@10V |
| 集电极-发射极击穿电压（最大） | 5 V |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 重量 | 0.00045 |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-252 |
| 冷却的封装 | TO-252 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 主要材料 | Si |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | PNP |
| 极性 | PNP |
| 匹配码 | MJD32CT4 |
| 配置 | Single |
| 标准交期 | 12 weeks |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00164144.pdf)
- [MJD32C](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00164144.pdf)
- [Datasheet](http://www.farnell.com/datasheets/1689860.pdf)

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