M48Z08-100PC1

M48Z08-100PC1

STMicroelectronics N.V.

NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin PCDIP Tube ZEROPOWER SRAM 8KX8 100NS DIP28 IC NVSRAM 64KBIT 100NS 28DIP M48Z08-100PC1, NVRAM Memory 64kbit Through Hole, 4.75 to 5.5V, 0 to +70°C, 28-Pin, PCDIP NVRAM 64K (8Kx8) 100ns ZEROPOWER SRAM 64K, 48Z08, DIP28 Memory;NonvolatileRAM64KBITS;4.5to5.5V;100;PCDIP28;0.8V(Max.);0 Memory; NV SRAM; 8kx8bit; 100ns; DIP28 NV-RAM 8 k x 8 Bit PCDIP-28, M48Z08-100PC1, ST , 64kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.5 V, 0 → +70 °C, 28针 PCDIP封装

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量12
单位包装12
产品类别NVRAM
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量12
标准封装名称CDIP

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85423245
汽车级NO
零件状态:48Z08
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
转速100ns
存储器:8K x 8bit
接口Parallel
复位时间:10Yr
存取时间100ns
存储器容量64K (8K x 8)
存储器类型NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
偏置电流80mA
VCCB电压:5V
额定电压4.75 V
数据转换器11yrs.
电池节数1
输出电流80 mA
供电电压5 V
漏电流±1μA
输出电压40.4V
输入电容值10pF
电容 @ Vr, F10pF
最大额定电流80
最小输入电压5.5V
上升/下降时间(典型)≤5ns
最小供电电压5.5 V
最大功耗1W
开关时间(Ton, Toff)(最大)≤5ns
平均整流电流 Io80 mA

机械参数

参数值
宽度18.34mm
高度8.89mm
长度39.88mm
重量0.000001
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:28
封装形式28PCDIP
冷却的封装PCDIP
材料表面处理:-
包装数量PCDIP
尺寸/外形39.98 x 18.34 x 8.89mm
位数28
供应商器件封装28-PCDIP, CAPHAT®
核心数/总线宽度8 Bit

产品信息

参数值
SPG12
类型NVSRAM
已删除Compliant
密度64 Kb
产品特性:Internal Battery
基本单元:48
匹配码M48Z08-100PC1
制造商全称8Kx8
存储器格式RAM
总线连接Parallel
单元数量1
标准交期15 weeks
使用的IC/零件:M48Z08-100PC1
存储器架构8kx8bit

环境参数

参数值
温度范围:Commercial
工作温度0 to 70 °C
最高温度限值70°C
自然散热热阻0°C