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# 元件详情：LET9150

- **型号**: LET9150
- **oneic 编号**: 390-LET9150
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: .230 X.650 W 4-L BAL LDMOS W/FLG 150W 860MHZ 32V MOSFET N-CH 80V 20A M-246 Transistors RF MOSFET RF Power LdmoST 150W 20 dB 860MHz Trans RF MOSFET N-CH 80V 20A 5-Pin Case M-246 RF MOSFET Transistors RF Power LdmoST 150W 20 dB 860MHz
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最小起订量 | 60 |
| 单位包装 | 20 |
| 产品类别 | Transistors RF MOSFET |
| 标准包装数量 | 20 |
| 工厂包装数量 | 60 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 抗辐射加固 | No |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 增益 | 20dB |
| 频率 | 860MHz |
| 输出功率 | 150 W |
| 额定功率 | 269 W |
| 额定输出功率 | 150W |
| 测试电压 | 32V |
| 额定电压 | 80V |
| 最大频率 | 2000 MHz |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 输出电流 | 600mA |
| 供电电压 | 2.5(Min) S |
| 元件数量 | 2 |
| 输入电容值 | 33@28V pF |
| 最大额定电流 | 20A |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 20 dB |
| 平均正向功率 | 269 W |
| 最大功耗 | 269000 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 80 V |
| 导通电阻（最大） | 69 % |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 15 V |
| 共模瞬态抗扰度（最小） | Military |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 20 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 20 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Bulk |
| 安装类型 | Screw |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | M246 |
| 冷却的封装 | Case M-246 |
| 位数 | 5 |
| 供应商器件封装 | M246 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 系列 | LET9150 |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Dual |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | + 150 C |

## 实时报价

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