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# 元件详情：LET9120

- **型号**: LET9120
- **oneic 编号**: 390-LET9120
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: .230 X.650 W 4-L BAL LDMOS W/FLG 120W 860MHZ 32V MOSFET N-CH 80V 18A M-246 Transistors RF MOSFET RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz RF MOSFET Transistors RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最小起订量 | 60 |
| 单位包装 | 20 |
| 产品类别 | Transistors RF MOSFET |
| 标准包装数量 | 20 |
| 工厂包装数量 | 60 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 增益 | 18dB |
| 频率 | 860MHz |
| 输出功率 | 120 W |
| 额定功率 | 200 W |
| 额定输出功率 | 150W |
| 测试电压 | 32V |
| 额定电压 | 80V |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 输出电流 | 400mA |
| 最大额定电流 | 18A |
| 平均正向功率 | 200 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 80 V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 15 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 18 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 18 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Tray |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | M246 |
| 供应商器件封装 | M246 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 系列 | LET9120 |
| 技术 | Si |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Dual |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | + 150 C |

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