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# 元件详情：LET9045

- **型号**: LET9045
- **oneic 编号**: 390-LET9045
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A Transistors RF MOSFET RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3-Pin(2+Tab) PowerSO-10RF (Formed lead) RF MOSFET Transistors RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | 497-12426 |
| 产品类别 | Transistors RF MOSFET |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 400 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 抗辐射加固 | No |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 增益 | 17.5dB |
| VSWR | 10(Min) |
| 频率 | 960MHz |
| 最大栅源电压 Vgs | 15 V |
| 最大功率 | 59W(Typ) |
| 输出功率 | 45 W |
| 额定功率 | 79 W |
| 额定输出功率 | 59W |
| 测试电压 | 28V |
| 额定电压 | 80V |
| 最大频率 | 1000 MHz |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 输出电流 | 300mA |
| 供电电压 | 2.5(Min) S |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电容值 | 28@28V pF |
| 最大额定电流 | 9A |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 17.5 dB |
| 最大功耗 | 79000 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 65 V |
| 漏电流（最大） | 5 A |
| 导通电阻（最大） | 65 % |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 65 % |
| 漏源电压（Vdss） | 65 V |
| 共模瞬态抗扰度（最小） | Military |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 59@28V pF |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Tray |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| 位数 | 4 |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF (Formed Lead) |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | RF MOSFET |
| 系列 | LET9045 |
| 已删除 | Compliant |
| 极性 | N |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
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| 工作温度 | Military |

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