LET9045

LET9045

STMicroelectronics N.V.

TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A Transistors RF MOSFET RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3-Pin(2+Tab) PowerSO-10RF (Formed lead) RF MOSFET Transistors RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-12426
产品类别Transistors RF MOSFET
标准包装数量50
工厂包装数量400

合规参数

参数值
抗辐射加固No

电气参数

参数值
增益17.5dB
VSWR10(Min)
频率960MHz
最大栅源电压 Vgs15 V
最大功率59W(Typ)
输出功率45 W
额定功率79 W
额定输出功率59W
测试电压28V
额定电压80V
最大频率1000 MHz
晶体管类型LDMOS
输出电流300mA
供电电压2.5(Min) S
元件数量1
输入电容值28@28V pF
最大额定电流9A
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs17.5 dB
最大功耗79000 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic65 V
漏电流(最大)5 A
导通电阻(最大)65 %
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic65 %
漏源电压(Vdss)65 V
共模瞬态抗扰度(最小)Military
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)5 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds59@28V pF

机械参数

参数值
包装方式Tray
安装类型Surface Mount
封装形式PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
位数4
供应商器件封装PowerSO-10RF (Formed Lead)

产品信息

参数值
类型RF MOSFET
系列LET9045
已删除Compliant
极性N
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics

环境参数

参数值
工作温度Military