规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 下降时间 | 15 ns |
| 额定电压 | 580 V |
| 开通延迟时间 | 120 ns |
| 上升时间（典型） | 15 ns |
| 输出电流 | 4 A |
| 关断延迟时间 | 120 ns |
| 供电电压 | 20 V |
| 输出数量 | 1 Output |
| 平均正向功率 | 1 W |
| 导通电阻（最大） | 175 Ohms |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 120 ns |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Reel |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SO-14 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | High voltage high and low-side Gate Driver |
| 系列 | L6491 |
| 产品特性 | Integrated bootstrap diode, Adjustable deadtime, Interlocking function, Comparator for fault protections |
| 关断 | Shutdown |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | High and Low Side Driver |
| 驱动器数量 | 2 Driver |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | + 125 C |