L6387ED
STMicroelectronics N.V.
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-8 SMD IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC L6387ED, Dual MOSFET Power Driver 0.65A, Non-Inverting, Maximum of 17V, 8-Pin SOIC Gate Drivers HV H-Bridge driver DRIVER, MOSFET, IGBT, 600V, 0.65A, 8SOIC STMicroelectronics 双 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 非反相, 8针 SOIC封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 2000 |
| 产品 | Half-Bridge Drivers |
| 单位包装 | 100 |
| 产品类别 | Gate Drivers |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85423300 |
| 汽车级 | NO |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
| 故障保护 | NANY/N/NA/NAN |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 下降时间 | 30 ns |
| 频率 | 0.4 MHz |
| 延迟时间 | 110ns |
| 输入类型 | Non-Inverting |
| 额定功率 | 0.75 W |
| 开通延迟时间 | 110 ns |
| 最大频率 | 400 |
| 上升时间（典型） | 50(Typ) ns |
| 关断延迟时间 | 105 ns |
| 驱动电路 | High and Low Side |
| 供电电压 | 17V |
| 输出数量 | 2 |
| 峰值输出电流 | 0.65 A |
| 最小输入电压 | 600V |
| 最小供电电压 | 17 V |
| 输入逻辑低电平 | CMOS/TTL |
| 最大功耗 | 750 mW |
| 传播延迟时间 | 110 ns |
| 输入逻辑高电平 | CMOS|TTL |
| 导通电阻（最大） | NY/N/NA/NAN |
| 传播速度（VoP） | 18V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 400mA |
| 漏电流（IS(off)）（最大） | NY/N/NA/NAN |
| 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 30(Typ) ns |
| 高侧电压（自举）最大 | 600V |
| 传播延迟 tpLH / tpHL（最大） | 110(Typ) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 3.9mm |
| 高度 | 1.25mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Tube |
| 封装体颜色 | :SOIC |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8SO N |
| 冷却的封装 | SO |
| 材料表面处理 | :MSL 3 - 168 hours |
| 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SO N |
| 尺寸/外形 | 4.9 x 3.9 x 1.25mm |
| 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.65(Max) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | High Side/Low Side |
| 匹配码 | L6387ED |
| 配置 | High and Low Side, Independent |
| 模块/板类型 | :High Side, Low Side |
| 驱动器数量 | 2 |
| 标准交期 | 13 weeks |
| 印刷电路板数量 | 8 |
| 配置数 | 1 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -45 to 125 °C |
| 结工作温度 | -50°C |
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