---
source: huluic.cn
data_as_of: 2026-10-23T15:16:15.889Z
max_staleness: 1h
cached: false
source_url: https://huluic.cn/product/stmicroelectronics/IRF640FP/bzP6989r
---

# 元件详情：IRF640FP

- **型号**: IRF640FP
- **oneic 编号**: 390-IRF640FP
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 标准包装数量 | 1,000 |
| 标准封装名称 | TO-220F |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 40W |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 200 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9A, 10V |
| 最大功耗 | 40000 |
| 导通电阻（最大） | 180@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 72nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 18 |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1560pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 18A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 Full Pack |
| 包装数量 | TO-220FP |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 通道类型 | Enhancement |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | 150 |

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/IRF640FP`

> 现货购买：[huluic.cn 产品页](https://huluic.cn/product/stmicroelectronics/IRF640FP/bzP6989r?utm_source=huluic&utm_medium=md&utm_campaign=geo)

---
数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)