IRF640FP
STMicroelectronics N.V.
MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 标准包装数量 | 1,000 |
| 标准封装名称 | TO-220F |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 40W |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 200 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9A, 10V |
| 最大功耗 | 40000 |
| 导通电阻（最大） | 180@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 72nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 18 |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1560pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 18A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 Full Pack |
| 包装数量 | TO-220FP |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | 150 |