规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-8748-5 |
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 300 |
| 标准封装名称 | ISOWATT218 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最大功率 | 50W |
| 额定功率 | 50 W |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 700V |
| 元件数量 | 1 |
| 最小输入电压 | 700 V |
| 电源电压（最大） | 9 |
| 平均正向功率 | 50000 mW |
| 最大功耗 | 50000 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 9 V |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1V @ 1.6A, 4.5A |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 8A |
| 集电极截止电流（最大） | 8 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 10@0.1A@5V|5@4.5A@5V |
| 集电极-发射极击穿电压（最大） | 9 V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 高度 | 14.7 mm |
| 长度 | 26.7 mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3ISOWATT218FX |
| 冷却的封装 | ISOWATT218FX |
| 包装数量 | ISOWATT218FX |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | ISOWATT-218FX |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | NPN |
| 系列 | 1000V Transistors |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -65 to 150 °C |