BD442
STMicroelectronics N.V.
TRANS PNP 80V 4A SOT-32 PNP TRANSISTOR 80V 4A 36W TO126 BD442, PNP Bipolar Transistor, 4A 80V HFE:15V 3MHz Power, 3-Pin SOT-32 Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin SOT-32 Tube TransistorBipolarPNP80V4ASOT32 Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO126 Power transistor TO-126 PNP -80 V, BD442, ST STMicroelectronics , PNP 双极晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:15, 3 MHz, 3针 SOT-32封装 Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 50 |
| 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-12141 |
| 标准包装数量 | 50 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 频率 | 3 MHz |
| 最大功率 | 36W |
| 额定功率 | 36 W |
| 最大频率 | 3 MHz |
| 晶体管类型 | PNP |
| 供电电压 | 80V |
| 元件数量 | 1 |
| 最小输入电压 | 0.8 V |
| 电源电压（最大） | 5 V |
| 最大功耗 | 36 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 80V |
| 每端口功率（瓦） | 36W |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 集电极截止电流（最大） | 100µA |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 15 |
| 集电极-发射极击穿电压（最大） | 5 V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 2.7mm |
| 高度 | 10.8mm |
| 长度 | 7.8mm |
| 重量 | 1.35 g |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | TO126 |
| 冷却的封装 | SOT-32 |
| 包装数量 | 50 |
| 尺寸/外形 | 10.8 x 7.8 x 2.7mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | SOT-32 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| SPG | 50 |
| 极性 | PNP |
| 匹配码 | BD442 |
| 卡标准 | Bipolar Power |
| 配置 | Single |
| 单元数量 | 1 |
| 标准交期 | 12 weeks |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | +150 °C |