BD136-16
STMicroelectronics N.V.
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 3-Pin SOT-32 Tube PNP TRANSISTOR 45V 1,5A 12,5W T TRANS PNP 45V 1.5A SOT-32 BD136-16, PNP Bipolar Transistor, 1.5A 45V HFE:100V Power, 3-Pin SOT-32 Transistors Bipolar - BJT PNP Silicon Trnsistr TRANSISTOR, PNP, SOT-32 TransistorBipolarPNP45V1.5ASOT32 Transistor: PNP; bipolar; 45V; 1.5A; 12W; TO126 STMicroelectronics , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=45 V, HFE:100, 3针 SOT-32封装 Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 50 |
| 单位包装 | 50 |
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 2000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 频率 | 50MHz |
| 最大功率 | 1.25W |
| 额定功率 | 1.25 W |
| 晶体管类型 | PNP |
| 供电电压 | 45V |
| 元件数量 | 1 |
| 最小输入电压 | 45 V |
| 电源电压（最大） | 5 V |
| 最大功耗 | 1250 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 45V |
| 每端口功率（瓦） | 12.5W |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 1.5A |
| 集电极截止电流（最大） | 1.5 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 100@150mA@2V |
| 集电极-发射极击穿电压（最大） | 5 V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 2.7mm |
| 高度 | 10.8mm |
| 长度 | 7.8mm |
| 重量 | 0.002 |
| 包装方式 | Tube |
| 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-32 |
| 冷却的封装 | SOT-32 |
| 材料表面处理 | :- |
| 包装数量 | 50 |
| 尺寸/外形 | 10.8 x 7.8 x 2.7mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | SOT-32 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| SPG | 50 |
| 类型 | PNP |
| 极性 | PNP |
| 匹配码 | BD136-16 |
| 卡标准 | Bipolar Power |
| 配置 | Single |
| 单元数量 | 1 |
| 标准交期 | 12 weeks |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -65 to 150 °C |