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首页产品分类分立半导体元件分立半导体触发二极管2N7002
2N7002

2N7002

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-Ch 60 Volt 0.20 A 1.8 Ohm STripFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Z MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23-3 Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET, N, 0.2A, 60V, SOT-23 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS60V;RDS(ON)1.8Ohms;ID0.2A;SOT-23-3L;PD0.35W;VGS+/-1

分类：分立半导体元件分立半导体触发二极管

规格参数

商业参数

最小起订量18000
单位包装3000
其他名称497-3111-2
标准包装数量3,000
标准封装名称SOT-23

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs:10V
FET特性Logic Level Gate
最大功率350mW
开通延迟时间5ns
晶体管类型:N Channel
关断延迟时间7ns
供电电压1.2V
元件数量1
Vgs(th)（最大）@ Id3V @ 250µA
击穿电压60
阈值电压:2.1V
最大额定电流:200mA
导通电阻 RDS(On):7.5ohm
触点电压（最大）:60V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs5 Ohm @ 500mA, 10V
最大功耗:360mW
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic60V
导通电阻（最大）1.8Ohms
电流传输比（最大）0.6S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs2nC @ 5V
峰值脉冲电流（8/20µs）:800mA
漏源电压（Vdss）60V
峰值脉冲电流（10/1000µs）0.2
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）0.2A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds43pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C115mA

机械参数

深度:2.5mm
宽度:3.05mm
长度:1.12mm
重量0.002
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
极化N-Channel
安装类型Surface Mount
引脚数:3
封装形式TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
包装数量SOT-23
胶带最大宽度:8mm
位数3
供应商器件封装SOT-23-3

产品信息

SMD标记:72
通道类型Enhancement
使用的IC/零件:ST2N

环境参数

测试温度:25°C
工作温度:-55°C
结工作温度+150°C

技术文档

2N700(0,2) DatasheetAI协助阅读，帮你解答PDF
DatasheetAI协助阅读，帮你解答PDF

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