2STC5242

2STC5242

STMicroelectronics N.V.

Trans GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube TRANS NPN HP BIPO 230V TO-3P 2STC5242, NPN Bipolar Transistor, 15A 230V HFE:35V 30MHz Power, 3-Pin TO-3P Transistors Bipolar - BJT High PWR NPN 230V 30 MHz 2STA1962 TRANSISTOR, NPN TO-3P TRANS/BIPOLARNPN230V Transistor: NPN; bipolar; 230V; 15A; 150W; TO3P STMicroelectronics , NPN 双极晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 30 MHz, 3针 TO-3P封装 Bipolar Transistors - BJT High PWR NPN 230V 30 MHz 2STA1962

规格参数

商业参数

参数值
产品类别Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量Rail / Tube
标准封装名称TO-3P

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
抗辐射加固No

电气参数

参数值
频率30 MHz
最大功率150W
额定功率130 W
最大频率30(Typ) MHz
晶体管类型NPN
供电电压230V
元件数量1
最小输入电压230 V
过渡频率30MHz
增益带宽积30 MHz
电源电压(最大)5 V
最大功耗130000 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic230 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic3V @ 800mA, 8A
集电极电流(Ic)(最大)15A
集电极截止电流(最大)15 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce80@1A@5V|35@7A@5V
集电极-发射极击穿电压(最大)5 V

机械参数

参数值
宽度5mm
高度18.7mm
长度15.8mm
重量0.01143
包装方式Tube
端接方式:Through Hole
安装类型Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-3P
冷却的封装TO-3P
材料表面处理:-
包装数量TO-3P
尺寸/外形18.7 x 15.8 x 5mm
位数3
供应商器件封装TO-3P

产品信息

参数值
SPG210
类型NPN
极性bipolar
卡标准Bipolar Power
配置Single
单元数量1

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C