2SB772
STMicroelectronics N.V.
Trans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube Z TRANSISTOR PNP MED PWR SOT32 2SB772, PNP Bipolar Transistor, 3A 30V HFE:30V 100MHz Power, 3-Pin SOT-32 Transistors Bipolar - BJT PNP Medium Power -30VCEO -5VBEO Trans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin SOT-32 Tube TRANSISTORPNPMEDPOWER,SOT32PKG STMicroelectronics , PNP 双极晶体管, 3 A, Vce=30 V, HFE:30, 100 MHz, 3针 SOT-32封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 6000 |
| 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-4829-5 |
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 2000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 频率 | 100MHz |
| 最大功率 | 12.5W |
| 最大频率 | 100(Typ) MHz |
| 晶体管类型 | PNP |
| 供电电压 | 30V |
| 元件数量 | 1 |
| 25°C时电阻 | 10°C/W |
| 最小输入电压 | 30 V |
| 过渡频率 | 100MHz |
| 增益带宽积 | 100 MHz |
| 电源电压（最大） | 5 V |
| 最大功耗 | 12500 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1.1V @ 150mA, 3A |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 3A |
| 集电极截止电流（最大） | 3 A |
| 阳极-阴极电压（Vak）（最大） | 5 V |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 100@100mA@2V|80@1A@2V|30@3A@2V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 2.7mm |
| 高度 | 10.8mm |
| 长度 | 7.8mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | 3SOT-32 |
| 冷却的封装 | SOT-32 |
| 包装数量 | SOT-32 |
| 主要材料 | Si |
| 尺寸/外形 | 10.8 x 7.8 x 2.7mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | SOT-32-3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | PNP |
| 极性 | PNP |
| 卡标准 | Bipolar Power |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -65 to 150 °C |