规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-2634-5 |
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Bag |
| 工厂包装数量 | 500 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 海关税号 | 85412100 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 频率 | 100 MHz |
| 最大功率 | 800mW |
| 额定功率 | 0.8 W |
| 最大频率 | 100(Min) MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 80V |
| 元件数量 | 1 |
| 25°C时电阻 | 30°C/W |
| Vce饱和电压(最大) | 0.5 V |
| 最小输入电压 | 80 V |
| 过渡频率 | 100MHz |
| 增益带宽积 | 100 MHz |
| 最大功耗 | 800 mW |
| 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 140 V |
| Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 集电极电流(Ic)(最大) | 1A |
| 集电极截止电流(最大) | 1 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 50@0.1mA@10V|90@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V|15@1A@10V |
| 集电极-发射极击穿电压(最大) | 7 V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 重量 | 0.002 |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-39 |
| 冷却的封装 | TO-39 |
| 材料表面处理 | :- |
| 主要材料 | Si |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-39 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | NPN |
| 极性 | NPN |
| 卡标准 | Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -65 to 175 °C |
