2N3019

2N3019

STMicroelectronics N.V.

Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 Bag TRANSISTOR NPN 140V 1A TO-39 2N3019, NPN Bipolar Transistor, 1A 80V HFE:15V Small Signal, 3-Pin TO-39 Transistors Bipolar - BJT NPN General Purpose NPN TRANSISTOR TRANSISTOR,NPN140V1A,TO-39PKG

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-2634-5
产品类别Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量Bag
工厂包装数量500

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号85412100
抗辐射加固No

电气参数

参数值
频率100 MHz
最大功率800mW
额定功率0.8 W
最大频率100(Min) MHz
晶体管类型NPN
供电电压80V
元件数量1
25°C时电阻30°C/W
Vce饱和电压(最大)0.5 V
最小输入电压80 V
过渡频率100MHz
增益带宽积100 MHz
最大功耗800 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic140 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
集电极电流(Ic)(最大)1A
集电极截止电流(最大)1 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce50@0.1mA@10V|90@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V|15@1A@10V
集电极-发射极击穿电压(最大)7 V

机械参数

参数值
重量0.002
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-39
冷却的封装TO-39
材料表面处理:-
主要材料Si
位数3
供应商器件封装TO-39

产品信息

参数值
类型NPN
极性NPN
卡标准Bipolar Small Signal
配置Single

环境参数

参数值
工作温度-65 to 175 °C