规格参数
规格参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 栅极类型 | GaN FET, MOSFET (N-Channel) |
| 包装方式 | Bulk |
| 输入类型 | Non-Inverting |
| 零件状态 | Active |
| 通道类型 | Independent |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | Die |
| 供电电压 | 4.75V ~ 20V |
| 驱动器数量 | 2 |
| 基础产品编号 | STDRIVEG600 |
| 驱动配置 | Half-Bridge |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 上升/下降时间（典型） | 7ns, 5ns |
| 供应商器件封装 | Wafer |
| 逻辑电压 - VIL, VIH | 1.45V, 2V |
| 高侧电压（自举）最大 | 620 V |
| 峰值输出电流（源、漏） | 5.5A, 6A |