STGWT40V60DF

STGWT40V60DF

STMicroelectronics N.V.

IGBT 40A (@100C IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装 IGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量600
单位包装30
其他名称497-13771-5
标准包装数量30
工厂包装数量300

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
抗辐射加固No

电气参数

参数值
频率1MHz
IGBT类型Trench and Field Stop
最大栅源电压 Vgs�20 V
输入类型Standard
栅极电荷226nC
最大功率283W
开关能量867µJ
供电电压600V
Td(开/关)@ 25°C52ns/208ns
Vce饱和电压(最大)2.35 V
平均正向功率283 W
最大功耗283 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.3V @ 15V, 40A
反向恢复时间(trr)41ns
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs250 nA
集电极电流(Ic)(最大)80A
集电极截止电流(最大)80 A
集电极脉冲电流 (Icm)160A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
连续漏极电流(Id)@ 25°C80 A

机械参数

参数值
宽度5.7mm
高度26.7mm
长度15.7mm
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-3P-3, SC-65-3
冷却的封装TO-3P
包装数量TO-3P
尺寸/外形15.7 x 5.7 x 26.7mm
位数3 +Tab
供应商器件封装TO-3P

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
功能Y
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
测试条件400V, 40A, 10 Ohm, 15V
工作温度Automotive
结工作温度175C