STGP30V60DF

STGP30V60DF

STMicroelectronics N.V.

IGBT 30A (@100C IGBT 600V 60A 258W TO220AB STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-220封装 IGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量1000
单位包装50
其他名称497-13762-5
标准包装数量50
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
频率1MHz
IGBT类型Trench and Field Stop
最大栅源电压 Vgs20 V
输入类型Standard
栅极电荷163nC
最大功率258W
晶体管类型单
开关能量616µJ
供电电压600V
Td(开/关)@ 25°C45ns/189ns
Vce饱和电压(最大)2.35 V
平均正向功率258 W
最大功耗258 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.3V @ 15V, 30A
反向恢复时间(trr)53ns
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs250 nA
集电极电流(Ic)(最大)60A
集电极截止电流(最大)60 A
集电极脉冲电流 (Icm)120A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
连续漏极电流(Id)@ 25°C60 A

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度15.75mm
长度10.4mm
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-220-3
包装数量TO-220
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 15.75mm
供应商器件封装TO-220

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single
每IC通道数单

环境参数

参数值
测试条件400V, 30A, 10 Ohm, 15V
工作温度+175 °C