STGFW20V60DF

STGFW20V60DF

STMicroelectronics N.V.

IGBT 20A (@100C STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装 IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量600
单位包装30
工厂包装数量300

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
频率1MHz
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
晶体管类型单
供电电压600 V
Vce饱和电压(最大)1.8 V
平均正向功率52 W
最大功耗52 W
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs250 nA
集电极截止电流(最大)40 A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
连续漏极电流(Id)@ 25°C40 A

机械参数

参数值
宽度5.7mm
高度26.7mm
长度15.7mm
包装方式Tube
安装类型通孔
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-3PF
包装数量TO-3P
尺寸/外形15.7 x 5.7 x 26.7mm

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single
每IC通道数单

环境参数

参数值
工作温度+175 °C