STGD5H60DF

STGD5H60DF

STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3针 DPAK封装 IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed IGBT 600V 5A 1,95V DPAK

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量2500

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
频率11 nS
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
晶体管类型单
供电电压600 V
二极管配置YES
Td(开/关)@ 25°C140 nS
Vce饱和电压(最大)1.5 V
平均正向功率83 W
最大功耗83 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V
每端口功率(瓦)83 W
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs+ / - 250 nA
开关时间(Ton, Toff)(最大)30 nS
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1.5 V
集电极电流(Ic)(最大)10 A
集电极截止电流(最大)10 A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds855pF
连续漏极电流(Id)@ 25°C10 A

机械参数

参数值
宽度6.2mm
高度2.4mm
长度6.6mm
包装方式Reel
安装类型表面贴装
安装样式SMD/SMT
引脚数3
封装形式DPAK-3
包装数量DPAK
尺寸/外形6.6 x 6.2 x 2.4mm

产品信息

参数值
功能Y
技术Fast
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single
其他规格221µJ

环境参数

参数值
工作温度+175 °C