PD410PI2E00F

PD410PI2E00F

Sharp Corporation

Photodiode Chip 1000nm 1A/W Sensitivity 2-Pin Sharp PD410PI2E00F Infrared Photodiode, Through-hole Sharp 红外 光电二极管, 通孔安装

规格参数

合规参数

参数值
RoHSCompliant
欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

参数值
下降时间200 ns
波长1000nm
灵敏度1A/W
额定功率0.15 W
光谱范围Infrared
上升时间(典型)200 ns
响应度 @ nm1 A/W
峰值波长1000nm
灵敏度(mV/g)1A/W
击穿电压32 V
暗电流(最大)10
暗电流(典型值)10 nA
最大功耗150
暗电流 Id(最大)10 nA
电压负载调整率32
最大传播延迟 @ V, 最大CL200(Typ)

机械参数

参数值
宽度3.75mm
高度5mm
长度4mm
安装类型Through Hole
引脚数2
总长度4
尺寸/外形4 x 3.75 x 5mm
触点数2
位数2
外壳尺寸-插件5

产品信息

参数值
类型Chip
极性Forward
透镜类型Black Epoxy
印刷电路板数量2

环境参数

参数值
工作温度-25C to 85C