PT100MF0MP1

PT100MF0MP1

Sharp Corporation

Phototransistors PT 15 910nm 3.45mA 1.5Kpcs Opaque Resin Phototransistor PHOTO TRANS BLACK LENS 910NM SMD Sharp PT100MF0MP1 30° Infrared Phototransistor Surface Mount PHOTOTRANSISTOR, SMD PT100MF0MP1 Sharp 红外 光电晶体管 , 30°半感光角度, 最大 910 nm

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量7500
单位包装1500
其他名称425-1007-2
产品类别Phototransistors
标准包装数量1,500
工厂包装数量1500

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
海关税号85414010
汽车级NO

电气参数

参数值
下降时间6 us
波长940 nm
最大功率75mW
灵敏度860nm
感应角度:15°
感应范围75nm
视角6°
上升时间(典型)5 us
晶体管类型:NPN
供电电压35 V
峰值波长:910nm
暗电流(最大)100 nA
暗电流(典型值):2mA
上升/下降时间(典型)80ns
平均正向功率:75mW
最大功耗75 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic35V
暗电流 Id(最大)50nA
开关时间(Ton, Toff)(最大):6µs
集电极电流(Ic)(最大)20mA

机械参数

参数值
重量0.00001
包装方式Reel
方向Universal
安装类型Surface Mount
引脚数:2
封装形式SIDEVIEW

产品信息

参数值
类型IR Chip
系列*
匹配码PT100MF0MP1
标准交期18 weeks
其他规格THT

环境参数

参数值
机械寿命Obsolete
工作温度+ 85 C
存储/冷藏温度:95°C