规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 3000 |
| 产品 | MOSFET |
| 单位包装 | 3000 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 下降时间 | 17 ns, 45 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | +/- 10 V, +/- 10 V |
| 栅极电荷 | 3.6 nC, 6.7 nC |
| 上升时间（典型） | 17 ns, 25 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel, P-Channel |
| 首抽头延迟 | 28 ns, 55 ns |
| 通道数量 | 2 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 300 mV, - 300 mV |
| 平均正向功率 | 1.25 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V, - 20 V |
| 导通电阻（最大） | 140 mOhms, 360 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 2.7 S, 2.4 S |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 9 ns, 9 ns |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.5 A, 2.4 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 高度 | 0.8 mm |
| 长度 | 3 mm |
| 包装方式 | Reel |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TSST-8 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
| 配置 | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | + 150 C |