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# 元件详情：RZF013P01TL

- **型号**: RZF013P01TL
- **oneic 编号**: 293-RZF013P01TL
- **厂商**: ROHM Co., Ltd.
- **描述**: Middle Power MOSFET Series Trans MOSFET P-CH 12V 1.3A 3-Pin TUMT T/R ROHM RZF013P01 系列 P沟道 MOSFET , 1.3 A, Vds=12 V, 3针 SOT-323T封装 MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 3000 |
| 工厂包装数量 | 3000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 抗辐射加固 | No |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 下降时间 | 9 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | �10 V |
| 栅极电荷 | 2.4 nC |
| 额定功率 | 0.8 W |
| 开通延迟时间 | 8 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 10 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 关断延迟时间 | 30 ns |
| 首抽头延迟 | 30 ns |
| 供电电压 | 1.2V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 1.06 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V |
| 平均正向功率 | 800 mW |
| 最大功耗 | 0.8 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 12 V |
| 导通电阻（最大） | 190 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 1.4S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±10 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 8 ns |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 1.3 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 290 pF @ -6 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.3 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 1.8mm |
| 高度 | 0.82mm |
| 长度 | 2.1mm |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TUMT-3 |
| 冷却的封装 | TUMT |
| 包装数量 | SOT-323T |
| 尺寸/外形 | 2.1 x 1.8 x 0.82mm |
| 位数 | 3 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | RZF013P01 |
| 功能 | Y |
| 极性 | P |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
| 卡标准 | 小信号 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | +150 °C |

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