RZF013P01TL

RZF013P01TL

ROHM Co., Ltd.

Middle Power MOSFET Series Trans MOSFET P-CH 12V 1.3A 3-Pin TUMT T/R ROHM RZF013P01 系列 P沟道 MOSFET , 1.3 A, Vds=12 V, 3针 SOT-323T封装 MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量3000
单位包装3000
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
抗辐射加固No

电气参数

参数值
下降时间9 ns
最大栅源电压 Vgs�10 V
栅极电荷2.4 nC
额定功率0.8 W
开通延迟时间8 ns
输出功能增强
上升时间(典型)10 ns
晶体管类型P-Channel
关断延迟时间30 ns
首抽头延迟30 ns
供电电压1.2V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻1.06 Ω
Vgs(th)(最大)@ Id1V
平均正向功率800 mW
最大功耗0.8 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic12 V
导通电阻(最大)190 mOhms
电流传输比(最小)1.4S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs±10 V
开关时间(Ton, Toff)(最大)8 ns
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)1.3 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds290 pF @ -6 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C1.3 A

机械参数

参数值
宽度1.8mm
高度0.82mm
长度2.1mm
包装方式Tape and Reel
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数3
封装形式TUMT-3
冷却的封装TUMT
包装数量SOT-323T
尺寸/外形2.1 x 1.8 x 0.82mm
位数3

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
系列RZF013P01
功能Y
极性P
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称ROHM Semiconductor
卡标准小信号

环境参数

参数值
工作温度+150 °C