规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | RRL035P03CT |
| 标准包装数量 | 3,000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 320mW |
| 额定功率 | 1 W |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.5A, 10V |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 50 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 8nC @ 5V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 800pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3.5A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 6-SMD |
| 冷却的封装 | TUMT |
| 位数 | 6 |
| 供应商器件封装 | TUMT6 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | P |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55C to 150C |