规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 3000 |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | RTQ035P02CT |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 40 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 1.25W |
| 额定功率 | 1.25 W |
| 上升时间（典型） | 40 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 55 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| 平均正向功率 | 1.25 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 20 V |
| 导通电阻（最大） | 800 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 16 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 12 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | +/- 3.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1200pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3.5A (Ta) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 高度 | 0.85 mm |
| 长度 | 2.9 mm |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | MOSFET |
| 系列 | RTQ035P02 |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
| 配置 | Single Quad Drain |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 55 C |